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更新時間:2023-08-18
光侵入式室溫型HgCdTe探測器室溫下工作;無需偏置;響應(yīng)時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態(tài)范圍寬;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計。
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光侵入式室溫型HgCdTe探測器簡介:
PVI-n(n表示特性波長,單位是微米)系列探測器是紅外光電探測器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者半球透鏡(可選)進行光浸入。這些裝置在2~11µm范圍內(nèi)的任意值可以達到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。
光侵入式室溫型HgCdTe探測器規(guī)格:
特性(@ 20ºC)
單位
LD-PVI-3
LD-PVI-4
LD-PVI-5
LD-PVI-6
LD-PVI-8
特性波長λop
μm
3
4
5
6
8
探測率:
at λpeak
at λop
cmHz1/2/W
≥5E10
≥3E10
≥2E10
≥1.5E10
≥9E9
≥8E9
≥4E9
≥4E8
響應(yīng)度
A/W
≥0.5
≥1
≥0.3
響應(yīng)時間τ
ns
≤350
≤150
≤120
≤80
≤4
響應(yīng)時間τ(加反向偏壓)
≤3
≤1
≤0.7
≤0.5
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積
Ω·cm 2
≥100
≥6
≥0.2
≥0.01
光學(xué)面積(長×寬)
或直徑(圓形)
mm x mm
mm
0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3
工作溫度
K
300
視場, F#
deg
36, 1.62
劉丹
86-029-81778987-205